碳(tan)化(hua)矽100問(wen) | 為什麽(mo)SiC MOSFET需(xu)要(yao)更高的驅(qu)動電壓
碳化矽100問 | SiC MOSFET的閾值電壓竟然受反向電壓的影響
都(dou)說(shuo)SiC MOSFET的(de)驅動(dong)電路難處理(li),除(chu)了柵(shan)極耐(nai)壓(ya)能(neng)力差(cha)之外,高(gao)溫還(hai)會使得閾值(zhi)電(dian)壓VGS(th)下(xia)降(jiang),增加橋臂短(duan)路(lu)的風(feng)險。你以為(wei)這就(jiu)結(jie)束了麽?沒想(xiang)到吧,VGS(th)受(shou)到(dao)反向(xiang)電壓的影響(xiang),驚不(bu)驚(jing)喜(xi)?意不意外?