碳化矽100問 | SiC MOSFET的閾值電壓竟然受反向電壓的影響
都(dou)說SiC MOSFET的驅動(dong)電路難處(chu)理,除(chu)了柵極耐壓(ya)能力差之(zhi)外(wai),高(gao)溫還會(hui)使(shi)得(de)閾值電壓VGS(th)下(xia)降(jiang),增加橋臂短路的(de)風險(xian)。你(ni)以為(wei)這(zhe)就結(jie)束了麽(mo)?沒(mei)想(xiang)到吧,VGS(th)受到反(fan)向電(dian)壓的影(ying)響(xiang),驚不驚喜(xi)?意不意外?