第三(san)代(dai)半(ban)導體(ti)碳(tan)化矽功率(lv)器(qi)件具(ju)有(you)耐(nai)壓高、耐溫(wen)高和能量(liang)轉換(huan)效率高等(deng)優(you)勢，在新能(neng)源汽(qi)車(che)、光(guang)伏(fu)發電和軌(gui)道交通等諸(zhu)多領域具有廣(guang)闊(kuo)的(de)應用前(qian)景(jing)。我(wo)國(guo)的碳化(hua)矽產業(ye)尚(shang)處於核心(xin)技術(shu)攻關(guan)的發(fa)展(zhan)階(jie)段(duan)，國產化進(jin)程(cheng)迫在眉(mei)睫(jie)。針對(dui)碳化矽功率器件(jian)研發“卡(ka)脖子”難題及(ji)實(shi)現產(chan)業化的挑戰(zhan)，長沙(sha)市(shi)嶽(yue)麓山(shan)大(da)學科(ke)技(ji)城管理(li)委員會(hui)組織實施(shi)的第(di)二(er)批(pi)核(he)心技術攻關“揭(jie)榜掛(gua)帥(shuai)”《大功率碳化矽MOSFET及SBD芯片技術研究(jiu)》項(xiang)目，由(you)瀏陽91在线免费观看半導(dao)體技術有限公(gong)司發榜，湖南大學(xue)和東莞(guan)天(tian)域半導體股(gu)份(fen)有限(xian)公司共同(tong)揭榜，多(duo)方(fang)合作進行(xing)技術攻(gong)關。

該項目已經實施一(yi)年(nian)有餘，目(mu)前進展順利(li)，階段性成(cheng)果顯著。針(zhen)對本課題難點一一碳化矽(xi)MOSFET芯片研究部分(fen)，湖南(nan)大學團(tuan)隊在設計(ji)過(guo)程中(zhong)，大膽地摒棄(qi)了(le)傳(chuan)統(tong)的平(ping)麵柵(shan)結構(gou)，提出了場(chang)板(ban)分離型SiC MOSFET的新型(xing)結構，91在线免费观看則突破(po)了高質(zhi)量柵氧(yang)處理、表(biao)麵鈍化、高(gao)溫變(bian)能多次(ci)離子(zi)注入等工(gong)藝(yi)難(nan)點，基(ji)於(yu)其(qi)在長沙的6寸碳化矽晶圓(yuan)產線完(wan)成流片工作(zuo)。91在线免费观看的工程團隊展現(xian)了深厚的碳化矽工藝能力，批次流(liu)片的一致性(xing)和穩定性得到了各專(zhuan)家的一致認(ren)可，為量產打下(xia)堅實的基礎。

由於引(yin)入了場板分離型的分裂柵結構，芯(xin)片具有更(geng)低(di)的反(fan)向(xiang)傳輸電容（Crss）,高頻(pin)優值(zhi)HF-FOM [RON × Crss]接近(jin)國外先進水平，較之傳統平麵(mian)柵結構器件指(zhi)標(biao)數(shu)值明顯(xian)改善(shan)。經電(dian)學特(te)性測試(shi)結(jie)果顯示(shi)5mm × 5mm的SiC MOSFET芯片導通電阻為17.1mΩ，與(yu)國際SiC龍(long)頭企(qi)業國外大廠W類(lei)似產品(pin)的導通電阻一致或略優。同時(shi)本(ben)次流片後的芯片總(zong)麵積(ji)小(xiao)於市場上(shang)同類產品（26mm2），能有效降(jiang)低器件製造(zao)成本。在VDS=800V/IDS=50A的工況下實測發現本批次芯片(pian)開(kai)關性能有所(suo)提(ti)升，關斷損(sun)耗(hao)為0.35mJ，在同一工況下比(bi)國外(wai)大廠W同類產品的關斷損耗（0.42mJ）低17%，將(jiang)有效提升電能變換效(xiao)率，體現在如(ru)新能源汽車的下遊應(ying)用中，將有助於提升電動(dong)汽車的續航(hang)裏程。

項目整(zheng)體進度領(ling)先預(yu)期(qi)時效，取得以(yi)上階段性成果(guo)，為最終(zhong)攻堅(jian)成功(gong)打(da)下了良好(hao)基礎。接(jie)下來各方將繼(ji)續深(shen)化合(he)作，持續優化提升SiC 器件性能，提高製備工藝的穩定性，爭取(qu)盡(jin)快實現相(xiang)關產品的穩定量產，進一步(bu)提升(sheng)我省在第三代半導體產業領域的影響力。